MBR20030CT
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MBR20030CT |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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80+ | $90.138 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 650 mV @ 100 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 30 V |
Technologie | Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 mA @ 20 V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
Grundproduktnummer | MBR20030 |
MBR20030CT Einzelheiten PDF [English] | MBR20030CT PDF - EN.pdf |
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Zielpreis (USD)
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